CPC3708CTR

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封装
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说明
操作

CPC3708CTR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
IXYS Integrated Circuits
SOT-89
17+
-
全新原装现货

CPC3708CTR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1000
IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
耗尽模式
漏源极电压（Vdss）
350V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
14 欧姆 @ 50mA，350mV
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
300pF @ 0V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-40°C ~ 110°C（TA）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
SOT-89
标准包装
1

CPC3708CTR 技术参数

CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 CPC3703CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 CPC3703C 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:100 CPC3701CTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 CPC3701C 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3909ZTR CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N