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CPH3360-W-TL

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4876

  • ON/安森美

  • SOT

  • 2229+

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  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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CPH3360-W-TL 技术参数
  • CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3360-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3356-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3356-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3355-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):156 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):172pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E
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