您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > C字母型号搜索 >

CSD17505Q5ATI

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " CSD17505Q5ATI " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
CSD17505Q5ATI PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
CSD17505Q5ATI 技术参数
  • CSD17505Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1980pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17501Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2630pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17484F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):121 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.2nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17484F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):195pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):121 毫欧 @ 500mA,8V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD17483F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 500mA,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):190pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT CSD17575Q3 CSD17575Q3T CSD17576Q5B CSD17576Q5BT CSD17577Q3A CSD17577Q3AT CSD17577Q5A
配单专家

在采购CSD17505Q5ATI进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买CSD17505Q5ATI产品风险,建议您在购买CSD17505Q5ATI相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的CSD17505Q5ATI信息由会员自行提供,CSD17505Q5ATI内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号