DMC-40267NY-LY

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功能描述
LCD 40X2 SUPERTWIST/LED BACKLT
RoHS
否
类别
光电元件 >> 显示器模块 - LCD，OLED 字符和数字
系列
DMC-40267
产品培训模块
NHDev LCD Development Board
产品变化通告
LCD Modules 3.0V Obsolescence 3/Nov/2011
标准包装
50
系列
NHD-0416B1Z-F
显示器类型
STN - 超扭转向列
显示模式
穿透/反射式
数字/字母数
64
外形L x W x H
87.00mm x 60.00mm x 14.00mm
可视范围
61.80mm L x 25.20mm W
背光
LED - 绿
显示格式
16 x 4
字符尺寸
4.75mm H x 2.95mm W
字符格式
5 x 8 点
电源电压
5.0V
点尺寸
0.55mm W x 0.55mm H
接口
-
工作温度
-20°C ~ 70°C

DMC-40267NY-LY 技术参数

DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件状态:过期字符数:80 显示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 点显示类型:STN - 超扭转向列显示模式:可传导的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可视范围:152.50mm 长 x 16.50mm 宽背光:LED - 黄/绿电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:- 接口:并联工作温度:0°C ~ 50°C 文字颜色:黄背景颜色:绿标准包装:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:25V，12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA，3.9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:25V，30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA，3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC501010R DMC502010R DMC504010R DMC505010R DMC506010R DMC506E20R DMC561000R DMC561010R DMC561020R DMC561030R DMC561040R DMC561050R DMC561060R DMC561070R DMC5610E0R DMC5610L0R DMC5610M0R DMC5610N0R