DMP4050SSD-13-F

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DMP4050SSD-13-F
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
14520
DIODES
SOP-8
22+
-
原装现货可含税样品可拆

DMP4050SSD-13-F
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
60000
DIODES/美台
SOP-8
21+
-
长期代理优势供应实单可谈可开增值税

DMP4050SSD-13-F
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
DIODES
SOP-8
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

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DMP4050SSD-13-F 技术参数

DMP3120L-7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PowerDI5060-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP510DL-13 DMP510DL-7 DMP56D0UFB-7 DMP56D0UFB-7B DMP56D0UV-7 DMP57D5UFB-7 DMP57D5UV-7 DMP58D0LFB-7 DMP58D0LFB-7B DMP58D0SV-7 DMP6023LE-13 DMP6023LFG-13 DMP6023LFG-7 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7 DMP6023LSS-13 DMP6050SFG-13 DMP6050SFG-7