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F1956NBGI8

配单专家企业名单
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  • F1956NBGI8
    F1956NBGI8

    F1956NBGI8

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 5200

  • RENESAS

  • WFQFN-32

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原装,实单可以支持。075...

  • F1956NBGI8
    F1956NBGI8

    F1956NBGI8

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • RENESAS(瑞萨)/IDT

  • WFQFN-32

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • F1956NBGI8
    F1956NBGI8

    F1956NBGI8

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 2000

  • IDT

  • QFN32

  • 20+

  • -
  • 原装正品 假一赔十

  • F1956NBGI8
    F1956NBGI8

    F1956NBGI8

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王俊杰

    电话:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • IDT

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

  • F1956NBGI8
    F1956NBGI8

    F1956NBGI8

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:张国龙

    电话:177226252410755-21008751

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • IDT

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

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F1956NBGI8 技术参数
  • F1956NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:0 ~ 4GHz 功率(W):1.5W 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1953NCGI 功能描述:RF Attenuator 32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 400MHz ~ 4GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:400MHz ~ 4GHz 功率(W):- 阻抗:- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1951NBGI 功能描述:RF Attenuator 32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 100MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:100MHz ~ 4GHz 功率(W):- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:150MHz ~ 4GHz 功率(W):- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F-193U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级(满负载):24V 电流 - 输出(最大值):4A 初级绕组:单一 次级绕组:单一 中心抽头:是 功率 - 最大值:96 VA 安装类型:底座安装 端子类型:导线引线 大小/尺寸:79.38mm 长 x 71.42mm 宽 高度 - 安装(最大值):71.42mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F-197U F-198U F1ABXN-1B08-10F F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S F1ABZO-1B08-10F F1ABZO-1B08-10S F1ABZO-6408-10F F1ABZO-6408-10S
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