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FDP020N06BH

配单专家企业名单
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  • FDP020N06BH
    FDP020N06BH

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 5295

  • FAIRCHILD/仙童

  • TO-220

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • FDP020N06BH
    FDP020N06BH

    FDP020N06BH

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 80000

  • FAIRCHILD/仙童

  • TO-220

  • 2020+

  • -
  • FDP020N06BH
    FDP020N06BH

    FDP020N06BH

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-8279802015814679726(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 30000

  • FAIRCHILD/仙童

  • TO-220

  • 21+

  • -
  • 原厂授权,价格超越代理!

  • FDP020N06BH
    FDP020N06BH

    FDP020N06BH

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3201

  • FAIRCHILD/ON

  • TO220

  • 2219+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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FDP020N06BH 技术参数
  • FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMF8705 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDP032N08 FDP032N08_F102 FDP032N08B_F102 FDP032N08B-F102 FDP032N08-F102 FDP036N10A FDP038AN06A0 FDP038AN06A0_F102 FDP038AN06A0-F102 FDP039N08B_F102 FDP039N08B-F102 FDP040N06 FDP045N10A FDP045N10A_F102 FDP045N10A-F102 FDP047AN08A0 FDP047AN08A0_F102 FDP047AN08A0-F102
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