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GT30S-150-150-0.23-0

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

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  • 制造商
  • t-Global Technology
  • 功能描述
  • GT30 SHEET 150X150X0.23MM
GT30S-150-150-0.23-0 技术参数
  • GT28F320C3TA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3TA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3BA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA100 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) GT32-10S-HU GT32-10S-SC GT32-10S-SP GT32-19DP-0.75H GT32-19DS-0.75CA GT32-19DS-0.75CB GT32-19DS-7CF GT32-19DS-HU GT32-19DS-SC GT32S10A GT32S13A GT32S18A GT32S2.5A GT32S22A GT32S4A GT32S6A GT36/WH-MD GT36-1629S(A)/CK-AD
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