HMC789ST89E_10

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制造商
HITTITE
制造商全称
Hittite Microwave Corporation
功能描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, 0.7 - 2.8 GHz

HMC789ST89E_10 技术参数

HMC789ST89E 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 700MHz ~ 2.8GHz SOT-89 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率:700MHz ~ 2.8GHz P1dB:25dBm 增益:18dB 噪声系数:3.8dB RF 类型:通用电压 - 电源:5V 电流 - 电源:125mA 测试频率:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 HMC7891 功能描述:RF Amplifier IC Radar 2GHz ~ 18GHz Module 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:散装零件状态:在售频率:2GHz ~ 18GHz P1dB:10dBm 增益:47dB 噪声系数:3.4dB RF 类型:雷达电压 - 电源:8V 电流 - 电源:400mA 测试频率:6GHz 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 HMC788LP2ETR 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 10GHz 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率:0Hz ~ 10GHz P1dB:20dBm 增益:12dB 噪声系数:9dB RF 类型:通用电压 - 电源:5V 电流 - 电源:76mA 测试频率:- 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（2x2）标准包装:1 HMC788ALP2ETR 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 0Hz ~ 10GHz 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率:0Hz ~ 10GHz P1dB:18dBm 增益:12dB 噪声系数:7dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:76mA 测试频率:6GHz ~ 10GHz 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（2x2）标准包装:1 HMC788ALP2E 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 0Hz ~ 10GHz 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效频率:0Hz ~ 10GHz P1dB:18dBm 增益:12dB 噪声系数:7dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:76mA 测试频率:6GHz ~ 10GHz 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（2x2）标准包装:1 HMC794LP3ETR HMC795LP5E HMC795LP5ETR HMC797 HMC797A HMC797APM5E HMC797APM5ETR HMC797APM5ETR-R5 HMC797A-SX HMC797LP5E HMC797LP5ETR HMC797-SX HMC798LC4 HMC798LC4TR HMC798LC4TR-R5 HMC7992LP3DE HMC7992LP3DETR HMC799LP3E