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HMC802389

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HMC802389 技术参数
  • HMC801LP3ETR 功能描述:RF Attenuator 15dB ±0.5dB 0 ~ 10GHz 50 Ohm 16-VFQFN Exposed Pad 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件状态:过期 衰减值:15dB 容差:±0.5dB 频率范围:0 ~ 10GHz 功率(W):- 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:1 HMC801LP3E 功能描述:RF Attenuator 15dB ±0.5dB 0 ~ 10GHz 50 Ohm 16-VQFN Exposed Pad 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件状态:过期 衰减值:15dB 容差:±0.5dB 频率范围:0 ~ 10GHz 功率(W):- 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 标准包装:100 HMC799LP3E 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 700MHz 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 频率:0Hz ~ 700MHz P1dB:4dBm 增益:42dB 噪声系数:- RF 类型:通用 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 电源:70mA 测试频率:- 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-SMT(3x3) 标准包装:1 HMC7992LP3DETR 功能描述:RF Switch IC Cellular SP4T 6GHz 50 Ohm 16-LFCSP (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:100MHz 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 6GHz IIP3:58dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SP4T P1dB:35dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:3.3 V ~ 5 V RF 类型:手机 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘,CSP 供应商器件封装:16-LFCSP(3x3) 标准包装:1 HMC7992LP3DE 功能描述:RF Switch IC Cellular SP4T 6GHz 50 Ohm 16-LFCSP (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:* 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:100MHz 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 6GHz IIP3:58dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SP4T P1dB:35dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:3.3 V ~ 5 V RF 类型:手机 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘,CSP 供应商器件封装:16-LFCSP(3x3) 标准包装:1 HMC8100LP6JE HMC8100LP6JETR HMC8108LC5 HMC8108LC5TR HMC8108LC5TR-R5 HMC8118 HMC8119 HMC8120 HMC8121 HMC812ALC4 HMC812ALC4TR HMC812LC4 HMC812LC4TR HMC812LC4TR-R5 HMC813 HMC813LC4B HMC813LC4BTR HMC813LC4BTR-R5
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