JAN1N5807URS

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功能描述
Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
制造商
microsemi ire division
系列
军用，MIL-PRF-19500/477
包装
散装
零件状态
在售
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
50V
电流 - 平均整流（Io）
3A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
875mV @ 4A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
30ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 50V
不同?Vr，F 时的电容
60pF @ 10V，1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SQ-MELF，B
供应商器件封装
B，SQ-MELF
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
标准包装
1

JAN1N5807URS 技术参数

JAN1N5807 功能描述:Diode Standard 50V 6A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5806US 功能描述:Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5806URS 功能描述:Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5806 功能描述:Diode Standard 150V 2.5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5804US 功能描述:Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5819-1 JAN1N5819UR-1 JAN1N5819UR-1/TR JAN1N5822 JAN1N5907 JAN1N5968 JAN1N6036A JAN1N6039A JAN1N6043A JAN1N6044A JAN1N6045A JAN1N6047A JAN1N6051A JAN1N6052A JAN1N6053A JAN1N6055A JAN1N6057A JAN1N6061A