JAN1N6327CUS

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JAN1N6327CUS
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
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微芯专营优势产品

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JAN1N6327CUS 技术参数

JAN1N6327C 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6327 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6326US 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6326 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6325US 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6331US JAN1N6332 JAN1N6332US JAN1N6333 JAN1N6333US JAN1N6334 JAN1N6334US JAN1N6335 JAN1N6335US JAN1N6336 JAN1N6336US JAN1N6337 JAN1N6337US JAN1N6338 JAN1N6338US JAN1N6339 JAN1N6339US JAN1N6340