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JANS1N6173AUS

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JANS1N6173AUS
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
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MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SP6173AUS

JANS1N6173AUS 技术参数

JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 4.74V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 4.74V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/586 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:70pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR JANS1N6313 JANS1N6313/TR