MBR12040R

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MBR12040R
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
MOTOROLA
正品封装
23+
-
正规商现货供应

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制造商
TRSYS
制造商全称
Transys Electronics
功能描述
SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A

MBR12040R 技术参数

MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12040CT 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12035 CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:5 MBR12030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR120ESFT3G MBR120HWTR MBR120LSFT1 MBR120LSFT1G MBR120LSFT3 MBR120LSFT3G MBR120VLSFT1 MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3 MBR120VLSFT3G MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1 MBR130LSFT1G MBR130T1