MCH6102_代理商_批发/采购【买卖IC网】MCH6102

配单专家企业名单

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数量
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批号
价格
说明
操作

MCH6102-TL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SANYO
2005
-
假一罚十，百分百原装正品

MCH6102-TL-E
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
ON(安森美)
MCPH-6
刚到货
-
代理可含税开票

MCH6102-TL-E
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
61243
ON Semiconductor
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

MCH6102-TL
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
3680
SANYO
SOT363
20+
-
自库存，欢迎咨询

MCH6102-TL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
45000
SANYO
MCPH6
13+
-
全新原装现货

MCH6102-TL-E
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
ON
qfp
20+
-
原装现货QQ1585971070

MCH6102
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MCH6102-TL-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
SANYO
18+
-
全新原装，优势库存

MCH6102-TL
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
9000
SANYO
MCPH6
05+
-
汕头现货

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
DC/DC Converter Applications

MCH6102 技术参数

MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线供应商器件封装:4-MCPH 标准包装:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:890 毫欧 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W MCH6331-TL-E MCH6331-TL-H MCH6331-TL-W MCH6336-P-TL-E MCH6336-S-TL-E MCH6336-TL-H MCH6336-TL-W MCH6337-TL-E MCH6337-TL-H MCH6337-TL-W MCH6341-TL-E MCH6341-TL-H MCH6341-TL-W MCH6342-TL-H MCH6342-TL-W

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