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MLD2N06CLT4G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 4409

  • onsemi

  • DPAK

  • 21+

  • -
  • 全新原装

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON Semiconductor

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ONS

  • TO-252 MOS

  • 05+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 24652

  • ON/安森美

  • TO-220

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 10001

  • ON Semiconductor

  • TO-252-3,DPak(2 引线+接

  • 12+

  • -
  • 授权分销 现货热卖

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ON/安森美

  • TO-252

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王小康

    电话:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • ON Semiconductor

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 65000

  • ◤优势◥ON

  • SOT252

  • 16+

  • -
  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ON

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 23394

  • ON/安森美

  • DPAK4

  • 22+

  • -
  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装现货,优势供应

  • MLD2N06CLT4G
    MLD2N06CLT4G

    MLD2N06CLT4G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • DPAK 4 LEAD Single Gauge

  • ON

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

MLD2N06CLT4G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET 10V 4.4A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
MLD2N06CLT4G 技术参数
  • MLD2N06CLT4 功能描述:MOSFET 10V 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLD2016S4R7MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):325 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 供应商器件封装:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLD2016S3R3MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):299 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 供应商器件封装:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLD2016S2R2MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):221 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 供应商器件封装:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLD2016S1R5MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):195 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 供应商器件封装:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLE-105-01-G-DV MLE-105-01-G-DV-A MLE-105-01-G-DV-A-P MLE-105-01-G-DV-A-P-TR MLE-106-01-G-DV MLE-106-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV MLE-107-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV-A-K-TR MLE-107-01-G-DV-P-TR MLE-108-01-G-DV MLE-108-01-G-DV-A MLE-109-01-G-DV MLE-110-01-G-DV MLE-110-01-G-DV-A MLE-111-01-G-DV MLE-111-01-G-DV-A-P MLE-112-01-G-DV
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