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MSMCJ40ATR

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE TVS SINGLE UNI-DIR 40V 1.5KW 2-PIN
MSMCJ40ATR 技术参数
  • MSMCJ40AE3 功能描述:TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40V 电压 - 击穿(最小值):44.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:64.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):23.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ40A 功能描述:TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40V 电压 - 击穿(最小值):44.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:64.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):23.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ36CAE3 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ36CA 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ36AE3 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ45CAE3 MSMCJ48A MSMCJ48AE3 MSMCJ48CA MSMCJ48CAE3 MSMCJ5.0A MSMCJ5.0AE3 MSMCJ5.0CA MSMCJ5.0CAE3 MSMCJ51A MSMCJ51AE3 MSMCJ51CA MSMCJ51CAE3 MSMCJ54A MSMCJ54AE3 MSMCJ54CA MSMCJ54CAE3 MSMCJ58A
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