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MSMLJ36CAE3/TR13

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Tape and Reel
MSMLJ36CAE3/TR13 技术参数
  • MSMLJ36CAE3 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):51.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ36CA 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):51.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ36AE3 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):51.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ36A 功能描述:TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):51.6A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ33CAE3 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):33V 电压 - 击穿(最小值):36.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:53.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):56.2A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ45AE3 MSMLJ45CA MSMLJ45CAE3 MSMLJ48A MSMLJ48AE3 MSMLJ48CA MSMLJ48CAE3 MSMLJ5.0A MSMLJ5.0AE3 MSMLJ5.0CA MSMLJ5.0CAE3 MSMLJ51A MSMLJ51AE3 MSMLJ51CA MSMLJ51CAE3 MSMLJ54A MSMLJ54AE3 MSMLJ54CA
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