NAND128W3A2BDI6

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NAND128W3A2BDI6
深圳市大源实业科技有限公司
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NAND128W3A2BDI6
深圳市一线半导体有限公司
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联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920317727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
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原装正品，欢迎订购

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制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NAND
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film

NAND128W3A2BDI6 技术参数

NAND128W3A0BN6F 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0BN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0AN6F 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0AN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0AN6 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND16GW3F2AN6E NAND256R3A2BZA6E NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6E NAND256W3A0AN6F NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A0BN6F TR NAND256W3A0BZA6E NAND256W3A2BE06 NAND256W3A2BN6E NAND256W3A2BN6F NAND256W3A2BN6F TR NAND256W3A2BNXE NAND256W3A2BZA6E NAND256W3A2BZA6F TR NAND256W3A2BZAXE NAND256W4A0AN6E