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NAND256W3A2BZC6E

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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NAND256W3A2BZC6E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
NAND256W3A2BZC6E 技术参数
  • NAND256W3A2BZA6E 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A2BN6F 功能描述:闪存 NAND 256 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A2BN6E 功能描述:闪存 NAND 256 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A2BE06 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A0BZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 55VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 NAND512R3A2SZA6E NAND512R3A2SZA6F NAND512R3A2SZAXE NAND512R3A3AZA6E NAND512W3A0AN6 NAND512W3A0AN6E NAND512W3A0AV6E NAND512W3A2BN6E NAND512W3A2BN6F NAND512W3A2BZA6E NAND512W3A2CN6E NAND512W3A2CZA6E NAND512W3A2DN6E NAND512W3A2DZA6E NAND512W3A2SE06 NAND512W3A2SN6E NAND512W3A2SN6F TR NAND512W3A2SNXE
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