PBLS4001YT/R

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PBLS4001YT/R 技术参数

PBLS4001Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS4001 标准包装:1 PBLS4001V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBLS4001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 300 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS4001 标准包装:1 PBLS2024D,115 功能描述:TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:22 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS2023D,115 功能描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115 PBLS6023D,115 PBLS6024D,115 PBLSP600 PBLT0600 PBM0001 BK005 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002 PBM0001 RD005