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PDTD113ET T/R

配单专家企业名单
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  • PDTD113ET T/R
    PDTD113ET T/R

    PDTD113ET T/R

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • 甄芯网
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    联系人:柯先生/赵小姐

    电话:0755-83665813

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部:中航路都会电子3C002B

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  • 低至:¥0.322[国外订货]

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  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
PDTD113ET T/R 技术参数
  • PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC144 标准包装:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTC144TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC144 标准包装:1 PDTC144TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTD113ZUX PDTD114EQAZ PDTD114ETR PDTD114ETVL PDTD114EUF PDTD114EUX PDTD123EK,115 PDTD123EQAZ PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF PDTD123EUX PDTD123TK,115 PDTD123TS,126 PDTD123TT,215 PDTD123YK,115 PDTD123YQAZ PDTD123YS,126
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