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说明
操作

PMBFJ310 T/R
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
PH
标准封装
08+
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

PMBFJ310 T/R
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6355
PHILIPS
ROHS
201310+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

PMBFJ310 T/R
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
6000
NXP
SOT-23
16+
-

PMBFJ310 T/R
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
1201
PHI
2012+
-
只做原装正品。

PMBFJ310 T/R
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
3000
NXP
N/A
-
低至：￥0.762[国外订货]

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1

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R

PMBFJ310 T/R 技术参数

PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:12mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:300 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:250 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:7mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:125 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:85 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115

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