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PMDVB40R

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PMDVB40R 技术参数

PMDT670UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:550mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDT290UNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDT290UCE,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA，550mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDR-9 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包装:卷零件状态:有效类型:导线标记 - 胶带尺寸:- 电缆直径:剪切至所需的直径图例:9 颜色:白材料:聚酯工作温度:- 标准包装:10 PMDR-8 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包装:卷零件状态:有效类型:导线标记 - 胶带尺寸:- 电缆直径:剪切至所需的直径图例:8 颜色:白材料:聚酯工作温度:- 标准包装:10 PME261JB5330KR30 PME261JC5680KR30 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30