PSMN3R5-30LL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN3R5-30LL
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PSMN3R5-30LL,115
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
8-DFN3333
17+
-
全新原装现货

PSMN3R5-30LL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXP
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN3R5-30LL,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
8-DFN3333（3.3x3.3）
18+
-
MOSFET N-CH 30V QFN3...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH30V40AQFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,40A,QFN3333

PSMN3R5-30LL 技术参数

PSMN3R5-25MLDX 功能描述:PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1334pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:65W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN3R4-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3907pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:114W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R4-30BLE,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4682pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:178W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN3R4-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3907pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:114W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN3R3-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:139nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60XSQ PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115