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PSMN3R8-30LL

配单专家企业名单
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  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • NXP

  • 近两年生产

  • QFN

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 638850

  • NXP

  • QFN

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，价格超越代理！

  • PSMN3R8-30LL,115
    PSMN3R8-30LL,115

    PSMN3R8-30LL,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 8-DFN3333（3.3x3.3）

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 30V QFN3...

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 1420

  • NXP

  • QFN

  • 1104+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • QFN

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • PSMN3R8-30LL,115
    PSMN3R8-30LL,115

    PSMN3R8-30LL,115

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • 8-DFN3333

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • QFN

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

    电话：1530261991513762584085

    地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • NXP

  • QFN

  • 22+

  • -

  • 公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

  • PSMN3R8-30LL
    PSMN3R8-30LL

    PSMN3R8-30LL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • NXP

  • QFN

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN3R8-30LL,115
    PSMN3R8-30LL,115

    PSMN3R8-30LL,115

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人：胡泽君

    电话：18998911795

    地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质：营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -

  • 原装正品，专注原装正品十五年

  • PSMN3R8-30LL,115
    PSMN3R8-30LL,115

    PSMN3R8-30LL,115

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人：廖小姐

    电话：18998919871

    地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带卷（TR）

  • 20+

  • -

  • 原装正品，专注原装正品十五年

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETN CH30V40AQFN3333
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,30V,40A,QFN3333
PSMN3R8-30LL 技术参数
  • PSMN3R8-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN3R7-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.95 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1848pF @ 15V 功率 - 最大值:79W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK， 电源-SO8 标准包装:1 PSMN3R7-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1585pF @ 12V 功率 - 最大值:64W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK， 电源-SO8 标准包装:1 PSMN3R5-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:139nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R5-80ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:139nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9800pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118
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