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PSMN7R0-30YLC,115

配单专家企业名单
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  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

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  • NEXPERIA

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  • PSMN7R0-30YLC,115
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • PSMN7R0-30YLC,115
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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 39800

  • NXP

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

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  • MOSFET N-CH 30V 61A ...

  • PSMN7R0-30YLC,115
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  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

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  • PSMN7R0-30YLC,115
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 17+

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  • 全新原装现货

  • PSMN7R0-30YLC,115
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  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

  • 3187

  • NXP(恩智浦)

  • 21+

  • -
  • 全新原装现货

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PSMN7R0-30YLC,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN7R0-30YLC,115 技术参数
  • PSMN7R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):76A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1270pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):51W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN7R0-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1076pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):57W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN7R0-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):121nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6686pF @ 50V 功率 - 最大值:57.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN7R0-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6686pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):269W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:- 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R0-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6686pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):269W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-80YLX PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115
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