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PSMN7R6-60BS,118

配单专家企业名单
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  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 60V 92A ...

  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1716+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEXPERIA

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • PSMN7R6-60BS,118
    PSMN7R6-60BS,118

    PSMN7R6-60BS,118

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 1600

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
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PSMN7R6-60BS,118 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60 V 7.8 MOHM MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN7R6-60BS,118 技术参数
  • PSMN7R6-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):296W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN7R5-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):86A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):31nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN7R5-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):655pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):34W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN7R5-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):655pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN7R5-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.4 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):921pF @ 12V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PSMN8R0-80YLX PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115
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