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PSMN7R8-120ESQ

配单专家企业名单
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    PSMN7R8-120ESQ

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-262-3

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  • MOSFET N-CH 120V 70A...

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9894

  • NXP

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  • 14+

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  • 绝对公司原装现货

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

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    资质:营业执照

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  • NXP SEMIC

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 24558

  • NXP/恩智浦

  • I2PAK

  • 22+

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  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

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    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

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  • SOT226

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN7R8-120ES/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 120V I2PAK
PSMN7R8-120ESQ 技术参数
  • PSMN7R8-100PSEQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):294W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:50 PSMN7R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):149W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):149W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN7R6-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):296W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127
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