PSMN8R2-80YS,115_代理商_批发/采购【买卖IC网】PSMN8R2-80YS,115

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

PSMN8R2-80YS,115
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8967
NXP
SOT669
12+
-
绝对公司原装现货

PSMN8R2-80YS,115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

PSMN8R2-80YS,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
原厂封装
2010+
-

PSMN8R2-80YS,115
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

PSMN8R2-80YS,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
NXP
SOT-669
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

PSMN8R2-80YS,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
原厂封装
2010+
-
全新原装100%正品保证质量

PSMN8R2-80YS,115
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT-669
刚到货
-
代理可含税开票

PSMN8R2-80YS,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 80V 82A ...

PSMN8R2-80YS,115
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
35698
NEXPERIA
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

PSMN8R2-80YS,115
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
12301
NEXPERIA/安世
NA
20+
-
进口原装正品假一赔十

PSMN8R2-80YS,115
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
17+
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全新原装现货

PSMN8R2-80YS,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
NEXPERIA
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

PSMN8R2-80YS,115
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

PSMN8R2-80YS,115
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

PSMN8R2-80YS,115
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1500
NEXPERIA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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PSMN8R2-80YS,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

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功能描述
MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PSMN8R2-80YS,115 技术参数

PSMN8R0-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:77A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:86W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN8R0-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:77A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:86W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN8R0-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.9 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:848pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PSMN8R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:62A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1005pF @ 15V 功率 - 最大值:56W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PSMN7R8-120PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:167nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9473pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR90-30BL,118 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000

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