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STF16N65M2 其他被动元件

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STF16N65M2 其他被动元件 技术参数
  • STF16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):718pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF16N60M6 功能描述:N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET 制造商:stmicroelectronics 系列:UltraFASTmesh?? 零件状态:在售 标准包装:50 STF16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):320 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF16N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 6.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220 整包 标准包装:50 STF15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):983pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18N60M2 STF18N65M2 STF18N65M5 STF18NM60N STF18NM60ND STF18NM80 STF19NF20 STF19NM50N STF19NM65N STF20100 STF20100C STF20120C STF20120CR STF20150C STF20150CR STF20200C STF202-22T1 STF202-22T1G
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