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STGB20NB32LZ-1

配单专家企业名单
  • 型号
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  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 原厂原装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO220

  • 08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

  • TO220MONOC..

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!!

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 14501

  • ST/意法

  • TO220MONOC..

  • 22+

  • -
  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO 220 MONOC. .

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
STGB20NB32LZ-1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • IGBT SMD 350V 20A I2-PAK
STGB20NB32LZ-1 技术参数
  • STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):375V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 4.5V,20A 功率 - 最大值:150W 开关能量:11.8mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:51nC 25°C 时 Td(开/关)值:2.3μs/11.5μs 测试条件:250V,20A,1 千欧,4.5V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.25V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 开关能量:- 输入类型:逻辑 栅极电荷:26nC 25°C 时 Td(开/关)值:1.1μs/4.6μs 测试条件:300V,10A,1 千欧,5V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.6V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 开关能量:- 输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:700ns/4.3μs 测试条件:300V,10A,1 千欧,5V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:209μJ(开),261μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:115nC 25°C 时 Td(开/关)值:42.5ns/177ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):90ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,12A 功率 - 最大值:130W 开关能量:81μJ(开),125μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/90ns 测试条件:390V,12A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF
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