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STGB4M65DF2

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STGB4M65DF2
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甄芯网
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电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
1953
ST
TO-263
2214+
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全新原装进口

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功能描述
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
M
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40μJ（开），136μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V，4A，47 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1

STGB4M65DF2 技术参数

STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:456μJ（开），411μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:498μJ（开），363μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 开关能量:236μJ（开），290μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:51ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:345V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:49nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/26.5μs 测试条件:300V，15A，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ