STGD4M65DF2全国供应商 STGD4M65DF2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STGD4M65DF2
现货
甄芯网
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联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
1458
ST
TO-252
2138+
-
全新原装进口

STGD4M65DF2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-252
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STGD4M65DF2
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ST
TO-252
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

STGD4M65DF2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
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STGD4M65DF2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
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国产品牌，替代进口

STGD4M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
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STGD4M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STGD4M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
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优势库存，原装正品

STGD4M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
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优势库存，原装正品

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功能描述
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
制造商
stmicroelectronics
系列
M
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40μJ（开），136μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V，4A，47 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
标准包装
1

STGD4M65DF2 技术参数

STGD3NB60SDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:48W 开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125μs/- 测试条件:480V，3A，1 千欧，15V 反向恢复时间（trr）:1.7μs 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD3NB60FT4 功能描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:60W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD3HF60HDT4 功能描述:IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7.5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.95V @ 15V，1.5A 功率 - 最大值:38W 开关能量:19μJ（开），12μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 测试条件:400V，1.5A，100 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:85ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:435V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/4.6μs 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STGD20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/4.6μs 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KT4 STGDL6NC60DIT4 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD

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