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STGF30M65DF2
优势
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1000
ST
主营优势
1919
-
ST全系列接受订货

STGF30M65DF2
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
26000
ST
TO-220-3
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

STGF30M65DF2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-220F
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STGF30M65DF2
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
TO-220FP-3
21+
-
原装正品，假一赔十！

STGF30M65DF2
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

STGF30M65DF2
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
22+
12000
SOT-753
-
进口原装现货支持实单价优

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STGF30M65DF2 技术参数

STGF30H60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 37W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:37W 开关能量:350μJ（开），400μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:105nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/160ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:110ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF20NB60S 功能描述:IGBT 600V 24A 40W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:24A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):70A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 15V，20A 功率 - 最大值:40W 开关能量:840μJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:83nC 25°C 时 Td（开/关）值:92ns/1.1μs 测试条件:480V，20A，100 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF20M65DF2 功能描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:32.6W 开关能量:140μJ (开)，560μJ (关) 输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 37W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:37W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF19NC60WD 功能描述:IGBT 600V 14A 32W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:32W 开关能量:81μJ（开），125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1 STGF6NC60HD STGF7H60DF STGF7NB60SL STGF7NC60HD STGF8NC60KD STGFL6NC60D STGFL6NC60DI STGFW20H65FB STGFW20V60DF STGFW20V60F STGFW30H65FB STGFW30NC60V STGFW30V60DF STGFW30V60F STGFW35HF60W STGFW40H65FB STGFW40V60DF STGFW40V60F

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