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STGB7NB60FD

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  • STGB7NB60FD
    STGB7NB60FD

    STGB7NB60FD

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 原厂原装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STGB7NB60FD
    STGB7NB60FD

    STGB7NB60FD

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • ST

  • D PAK

  • 05+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • STGB7NB60FD
    STGB7NB60FD

    STGB7NB60FD

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • ST

  • D PAK

  • 05+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • STGB7NB60FD
    STGB7NB60FD

    STGB7NB60FD

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STGB7NB60FD
    STGB7NB60FD

    STGB7NB60FD

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGB7NB60FD 技术参数
  • STGB7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,7A 功率 - 最大值:88W 开关能量:99μJ(开),100μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/160ns 测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):136ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 STGB6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):21ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):21ns 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:1,000 STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ(开),78.5μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):134.5ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4 STGD3NB60FT4 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1
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