STGB7NB60FDT4

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说明
操作

STGB7NB60FDT4
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGB7NB60FDT4
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

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北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-

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功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGB7NB60FDT4 技术参数

STGB7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 开关能量:99μJ（开），100μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:400V，7A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:136ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 STGB6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 标准包装:1,000 STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4 STGD3NB60FT4 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1