STL7N6F7

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说明
操作

STL7N6F7
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（2x2）
18+
-
N-CHANNEL 60 V, 0.01...

STL7N6F7
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
PowerFlat?
17+
-
全新原装现货

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功能描述
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
25 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-PowerWDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（2x2）
标准包装
1

STL7N6F7 技术参数

STL7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:67W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 STL7N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL7DN6LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:432pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL75NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5）标准包装:3,000 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01 STL-8-350-16-01 STL-8-350-20-01 STL-8-350-3-01 STL-8-350-8-01 STL-8-450-12-01 STL-8-450-16-01 STL-8-450-20-01 STL-8-450-2-01 STL-8-450-8-01 STL85N6F3 STL-8-600-12-01 STL-8-600-16-01 STL-8-600-20-01 STL-8-600-3-01 STL-8-600-8-01