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STP9435M-TRG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
2930
SEMTRON
SOP8
1052+
-
全新原装现货，假一罚十

STP9435M-TRG
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
8462
SEMTRON
SOP8
0838+
-
原装现货/特价

STP9435M-TRG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
SEMTRON
SOP-8
2016+
-
原装正品，假一罚十

STP9435M-TRG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7990
SEMTRON
SOP-8
1052+
-
全新原装现货

STP9435M-TRG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SEMTRON
SOP8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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STP9435M 技术参数

STP90NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:47nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP90N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 38.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4295pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP90N55F4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP90N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP8NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP9NK60Z STP9NK60ZD STP9NK60ZFP STP9NK65Z STP9NK65ZFP STP9NK70Z STP9NK70ZFP STP9NK80Z STP9NK90Z STP9NM40N STP9NM50N STP9NM60N STPA001 STPA001A STPA001AH STPA001H STPA002CD-48X STPA002OD-4WX

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