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STU1224N

配单专家企业名单
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  • STU1224N
    STU1224N

    STU1224N

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • S

  • TO-252AA

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STU1224N
    STU1224N

    STU1224N

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • SAMHOP

  • 标准封装

  • 08+/pb

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • STU1224N
    STU1224N

    STU1224N

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • SAMHOP

  • 11PBF

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STU1224N
    STU1224N

    STU1224N

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-251

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STU1224N
    STU1224N

    STU1224N

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 2500

  • SAMHOP

  • TO252

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 1
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  • 制造商
  • SAMHOP
  • 制造商全称
  • SAMHOP
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STU1224N 技术参数
  • STU11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):670 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU10P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STTS75M2F 功能描述:SENSOR TEMPERATURE SMBUS 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 传感器类型:数字,本地 检测温度 - 本地:-55°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C/SMBus 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:单触发,输出开关,可编程极限,可编程分辨率,待机模式 精度 - 最高(最低):±2°C(±3°C) 测试条件:-25°C ~ 100°C(-55°C ~ 125°C) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STU16N65M5 STU1HN60K3 STU27N3LH5 STU2LN60K3 STU2N105K5 STU2N62K3 STU2N80K5 STU2N95K5 STU2NK100Z STU3LN62K3 STU3LN80K5 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3
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