STU6N90K5

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STU6N90K5
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：连小姐 18126238167
电话：0755-82795565
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
50000
ST/意法
TO251
26+
-
原装原厂正品现货

STU6N90K5
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：梁先生
电话：18823887255(微信同号）
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
ST/意法
TO251
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

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功能描述
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.1 欧姆 @ 3A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
标准包装
75

STU6N90K5 技术参数

STU6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STU6N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:880pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:875pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU65N3LLH5 功能描述:MOSFET N CH 30V 65A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1290pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7N80K5 STU7NF25 STU7NM60N STU80N4F6 STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU8NM50N STU8NM60ND STU90N4F3 STU95N2LH5 STU95N3LLH6 STU95N4F3 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB