STU8NA80

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STU8NA80
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ST
TO
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STU8NA80
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
sgs
-
假一罚十，百分百原装正品

STU8NA80
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
20
ST
TO-220F
假一赔十！
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绝对原装现货！！

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STU8NA80 技术参数

STU8N80K5 功能描述:MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251 标准包装:75 STU8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU80N4F6 功能描述:MOSFET N CH 40V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251 标准包装:75 STU7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB STULED524 STULED623 STULED625 STULED656 STULPI01ATBR STULPI01BTBR STUPSD-SK/RAIS STUSA-170 STUSB02EQR STUSB03EDEMOBO STUSB03EQR STUSB06EHTR STUSB1600AQTR STUSB1600QTR STUSB1602AQTR STUSB1602QTR