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STW65N65DM2AG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • TO-247

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 14200

  • ST

  • TO-247

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 深圳市畅洲科技有限公司
    深圳市畅洲科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:156024408160755-82762262

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506

    资质:营业执照

  • 10000

  • ST(意法)

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • ST(意法半导体)

  • TO-247

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • STW65N65DM2AG
    STW65N65DM2AG

    STW65N65DM2AG

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 21+

  • 100

  • SOT-23-6

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 60A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101,MDmesh?
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 60A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 50 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 120nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5500pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 446W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 供应商器件封装
  • TO-247
  • 标准包装
  • 30
STW65N65DM2AG 技术参数
  • STW62NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 32.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):174nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5800pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW62N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):142nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW60NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 68A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):68A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 34A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):178nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5790pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW60NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):185nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):59 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):139nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6810pF @ 100V 功率 - 最大值:255W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1
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