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STW6N100

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  • STW6N100E
    STW6N100E

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STW6N100
    STW6N100

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

  • TO-247

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  • STW6N100
    STW6N100

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 19120

  • ST/意法

  • TO-247

  • 22+

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STW6N100 技术参数
  • STW69N65M5-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 29A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 29A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW68N60M6 功能描述:N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 零件状态:在售 标准包装:30 STW65N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW65N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 60A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,MDmesh? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5500pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT
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