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STW80N06-10

配单专家企业名单
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  • STW80N06-10
    STW80N06-10

    STW80N06-10

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 原装正品

  • 3000

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STW80N06-10
    STW80N06-10

    STW80N06-10

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-247

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STW80N06-10
    STW80N06-10

    STW80N06-10

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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STW80N06-10 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
STW80N06-10 技术参数
  • STW80H150C 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 150V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AD 标准包装:1 STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.35 欧姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):110W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1050V(1.05kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5
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