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THS4601IDR-THS4601

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    THS4601IDR-THS4601

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    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质:营业执照

  • 22321

  • TI/德州仪器

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

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THS4601IDR-THS4601 技术参数
  • THS4601IDG4 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDARG3 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDAR 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDAG3 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDA 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET In RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNR THS4631DGNRG4 THS4631DR THS50100RJ THS5010KJ THS5010RJ THS50120RJ THS5012RJ THS50150RJ THS5015RJ THS50180RJ THS5018RJ THS501K0J THS501K3J THS501K5J THS501R0J THS501R2J THS501R5J
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