TPS1120DG4

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

TPS1120DG4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
TI
SOP8
最新批次
-
百分百原装质量保障

TPS1120DG4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：王金英
电话：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1200
TI
8-SOIC
17+
-
TI现货商！香港库存！

TPS1120DG4
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Texas Instruments
8-SOIC
17+
-
全新原装现货

TPS1120DG4
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1500
TI
SOIC
1301+
-
原厂特价货源

TPS1120DG4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TexasInst
SOP-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

TPS1120DG4 技术参数

TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS1100D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS2000CDGK TPS2000CDGKR TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016