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VLF252012MT-1R5N

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  • VLF252012MT-1R5N-CA
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • VLF252012MT-1R5N
    VLF252012MT-1R5N

    VLF252012MT-1R5N

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百正品

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
VLF252012MT-1R5N PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • TDK
  • 制造商全称
  • TDK Electronics
  • 功能描述
  • Inductors for Power Circuits Wound Ferrite
VLF252012MT-1R5N 技术参数
  • VLF252012MT-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:2.47A 电流 - 饱和值:1.44A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):52 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLF252012MT-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:2.47A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):52 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLF252012MT-150M-CA 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:630mA 电流 - 饱和值:370mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):680 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLF252012MT-150M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:630mA 电流 - 饱和值:330mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):680 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLF252012MT-100M-CA 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 780mA 410 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:780mA 电流 - 饱和值:460mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):410 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 VLF252012MT-6R8M VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M VLF252015MT-150M-CA VLF252015MT-1R0N VLF252015MT-1R0N-CA VLF252015MT-1R5N VLF252015MT-1R5N-CA VLF252015MT-220M VLF252015MT-220M-CA VLF252015MT-2R2M VLF252015MT-2R2M-CA
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