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VND660PEP

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  • VND660PEP
    VND660PEP

    VND660PEP

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • ST

  • SOP24

  • 14+

  • -
  • 全新原装,进口现货,准时交货,量大优惠

  • VND660PEP
    VND660PEP

    VND660PEP

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 600

  • STM

  • SOP-24

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品。

  • 1/1页 40条/页 共16条 
  • 1
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VND660PEP 技术参数
  • VND600TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 DBLE CH HI-SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND600SPTR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND600SP-E 功能描述:功率驱动器IC 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND600SP13TR 功能描述:固态继电器-PCB安装 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制电压范围: 负载电压额定值:40 V 负载电流额定值:120 mA 触点形式:1 Form A (SPST-NO) 输出设备:MOSFET 封装 / 箱体:USOP-4 安装风格:SMD/SMT VND600SP 功能描述:固态继电器-PCB安装 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制电压范围: 负载电压额定值:40 V 负载电流额定值:120 mA 触点形式:1 Form A (SPST-NO) 输出设备:MOSFET 封装 / 箱体:USOP-4 安装风格:SMD/SMT VND7030AJ-E VND7030AJTR VND7030AJTR-E VND7040AJ-E VND7040AJTR VND7040AJTR-E VND7050AJ12TR VND7050AJ12TR-E VND7050AJ-E VND7050AJTR VND7050AJTR-E VND7140AJ12TR VND7140AJ12TR-E VND7140AJ-E VND7140AJTR VND7140AJTR-E VND7N04 VND7N04-1
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