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AO4421

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  • 东莞鼎岑科技有限公司
    东莞鼎岑科技有限公司

    联系人:

    电话:18925581989

    地址:广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室

  • 20000

  • AOS

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  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:

    电话:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大厦B座907

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  • SOP-8

  • 11+

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  • █100%现货█可开17%增票█可申请免...

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  • 好货芯城
    好货芯城

    联系人:连先生

    电话:0755-23947614400-6606-101

    地址:华强北街道华强广场C座22K室

    资质:营业执照

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  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

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  • 只做原装正品

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    深圳市品业电子有限公司

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH -60V -6.2A 8-SOIC
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AO4421 技术参数
  • AO4420A 功能描述:MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 13.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4050pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4419L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4419_003 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4419 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4415 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 8A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4435_103 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L
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